SIRA10DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Anschlüsse, Verbindungen
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIRA10DP-T1-GE3
| Artikelnummer: | SIRA10DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.24 |
| 10+ | $1.102 |
| 100+ | $0.8706 |
| 500+ | $0.6752 |
| 1000+ | $0.533 |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIRA10DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIRA10DP-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) +20V, -16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 5W (Ta), 40W (Tc) Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Andere Namen SIRA10DP-T1-GE3DKR Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 32 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2425pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 60A (Tc) 5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) SIRA10DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SIRA10DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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